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国产SSD将迎来爆发长江存储自主开发64层3D闪存已量产

发布时间:20-02-18

根据楚天都市报的报道,ю长江存储科技有限责任公司副董事长杨道虹表示,国家Φ存储器∨基地项目经过3年的建设已经取得了阶@段性成效,自主开发的64层三维闪存产品实现量产。

据介绍,杨道虹表示,当前◘以及今后一段时间他们目前的任务是如期达成月产能10万片,在二期项目中将会达到3⿷♯♮0Ⅱ░万片/月≈产能。

根据之前的介绍,长江存储科¤技有限责任公司早在2018▪年就公开发布其突破性技术——╩Xtacking,Ⅴ该技╫术将大幅提升╣NAND I/O速度到3.〒0Gbps。

根┏据官方的┙说明,采用Xta●·cking技◎术╝,可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆Ч单元操作的外围۩๑电路。这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺,以让NAND获取更高的I/O♤接口速度△及更多的操作功能。存╱╲储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。┊┋当两片晶圆各自完۩工后,创新的Xtacking 技术只需▎▏一个处理步骤就可通过数百εїз万根金属VIA(Vert■ical Intercon┐nⅦect Acce∪sses,垂直互联通☼道)将二╤者键合接通电路,而且只增加了有限的成本。

现在,长江存储∏已成功将Xtacking 技术应用于其︵第二代3D NAND产品的开发,大规模量产之后,预计会有更多的储存产品¤用§上国产芯片。

杨道虹还透露称,不←仅64层三维闪存产品实现量产,更高层的三维闪存产品研发也╪取得▋阶段Ф性成果,⿳进一步缩短了与国际龙头企业的差距。

据悉,长江存储科技有限责任公司于2Ⅳ016年7月26日在武Ⅰ汉东湖新技术开发区$登记成立,公司经营范围包括半导体集成电路科技领域内的技术开发;集成电路及相⌒关产品的设计等。

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