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英国研发新一代革命性内存:10ns延迟、功耗仅有1%

发布时间:20-02-18

2020年美光三星等公司会推出新一代的DDR5◆内存,最高速⊙率可达6400Mπbps,将逐步取代DD▨R4内≠存。现在的DRAM内存技术还在升级】,但是技术瓶颈也日趋明显,研究人员正在寻找新的内存替代技术,英♨国就找到了新方向——全新内存延←迟可低⿳至10ns,功∟耗仅有现在1%。

多年来人们一∏直在寻求完美的“内存&rdΣqζuo҉;芯片,它既Л需要低ф◈ⓛ延迟、高带宽,也要功耗低(不需要频繁刷新),同时还得容量大,成◇本低,更重要的是具备断电不损失数据的特性,可以说是NAND闪存及DRAM内存的完美体。

这么多要求,做起来可真不容易,Intel的傲腾内存是基于PCM相■变内存技术的,在可靠性、延迟等问题上已经大幅领先现在的闪存,更接近DRAM内存芯片了,不过超越内存还达不到。

日前外媒报۩道称,英国的研究人员找到了░一种新型的&∈ldquo;内存”,它使用的是III-V族材料,主要Ⅵ是InAs▷砷化铟和AlSb锑化铝,用这些材料╦╧制成的NVDRAM非易失性╩内存具备优秀的特性,在同样的性能下开关能量低了100φ倍,也就是说功耗只有现有ξDRAM内存的1%з,同时延迟可低』至10ⓞns。

总之,这种新型材料制成的内存芯片具备三大特性&mdas§h;&mdas☏h;超З低功耗、写入不破坏数据、Б非易失性,其性能相比现在█的DRAM内存倒是没多大提升,10ns级别的延迟⿺跟DDR4☆内存◇差不多,但是上√面三条特性,尤其是非易失性就足够Ⅲ让&ld|︴()〔〕quo;内存”革命了。

不过也∴没法高兴太早,英国研发人员现在只是找到了新一代III-V材料内存的۞理论方向⊕,真正大规模制й*造这种内存还是没影的事,就像是像传了很久的M〗RAM、PCM、RRAM芯片一样↕。

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